| 논문내용 |
임베디드 PCB의 성능을 향상시키기 위하여 wrinkle 및 gap type 전극을 가진 커패시터를 제안하였다. Wrinkle type의 전극을 가진 커패시터는 기존의 커패시터 보다 40% 정도 높은 정전용량 밀도를 나타내었다. 또한 gap type 전극의 커패시터는 기존의 커패시터가 나타내는 1GHz보다 매우 높은 4GHz의 공진 주파수를 나타내었다. 나아가 전극의 간극 크기에 따라 공진주파수도 변화되었다. 유전 간극이 50㎛인 gap type 전극 커패시터는 55의 정전용량 밀도를 나타내는데 이는 기존의 임베디드 커패시터 보다 높은 값이다. 인덕턴스 가변용의 스위칭 트랜지스터를 가진 임베디드 인덕터는 우수한 품질계수 Q를 나타내었다. |
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발간년도 : [2011]
